一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司已在本报告中详细说明公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析 五、风险因素”。
五、 公司负责人张国荣、主管会计工作负责人张博学及会计机构负责人（会计主管人员）张博学声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
本报告所涉及的公司未来计划、发展的策略、经营计划等前瞻性陈述，不构成公司对投入资产的人的实质承诺，请投资者注意投资风险。
十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否
Integrated Circuit 的缩写，是一种通过一定工艺把一 个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元 件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或 介质基片上，然后封装在一个外壳内，成为具有所需电路 功能的微型电子器件或部件。当今半导体工业大多数应用 的是基于硅的集成电路
System in Package，即系统级封装，将多种功能芯片，包 括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实 现一个基本完整的功能
Wafer，是经过特定工艺加工，具备特定电路功能的半导体 集成电路圆片，经切割、封装等工艺后可制作成 IC 成品
各种电子元件和电子器件的总称。其中工厂在加工时未改 变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需要能 源的器件，包括电阻、电容、电感等。器件是指工厂在生 产加工时改变了原材料分子结构的产品，包括双极性晶体 三极管、场效应晶体管、可控硅、半导体电阻电容等
产品检测的声、光、温度或压力信号经过处理转换为 0 和 1 的数字格式，再由数字信号处理器捕获数字化信息并反 馈现实世界的过程
在电子设备系统中对电能进行变换、分配、检测及其他电 能管理的器件，主要负责识别供电幅值，产生相应的短矩 波，推动后级电路进行功率输出
脉冲宽度调制，也就是占空比可变的脉冲波形。是一种对 模拟信号电平进行数字编码的方法
微控制单元，又称单片微型计算机或者单片机，是把中央 处理器的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、 A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口，甚至LCD驱动电 路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的 应用场合做不同组合控制。
微波集成电路，是一种集成了射频（RF）和微波 （Microwave）电路的高频集成电路。
一种用于对时钟信号来管理的集成IC，包括时钟信号的 发生、监测、分配等。
Radio Frequency，简称 RF，一种高频交流变化的电磁波， 频率范围在 300kHz～300GHz 之间
（1）2023年半年度营业收入同比增长61.61%，主要系公司积极发挥核心产品竞争优势，大力推进技术创新和新产品布局，实现产品销量增长。
（2）2023年半年度归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别同比增长54.33%及52.49%，主要系报告期内营业利润增加所致。
（3）经营活动产生的现金流量净额同比增加4,922.26万元，主要系年初结转的应收票据同比增加，报告期内收到的票据到期现金流入同比增加。
（4）基本每股盈利、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益分别同比增长15.74%、15.74%及14.37%，主要系报告期内营业收入大幅度上升，净利润增加、盈利能力提升所致。
（5）加权平均净资产收益率和扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率分别同比下降17.73个百分点和17.73个百分点，主要系2022年下半年公司上市募集资金到位，公司净资产增加所致。
计入当期损益的政府补助，但与 公司正常经营业务紧密关联，符 合国家政策规定、按照一定标准 定额或定量持续享受的政府补助 除外
企业取得子公司、联营企业及合 营企业的投资所需成本小于取得投资 时应享有被投资单位可辨认净资 产公允市价产生的收益
除同公司正常经营业务相关的有 效套期保值业务外，持有交易性金 融资产、衍生金融实物资产、交易性金 融负债、衍生金融负债产生的公允 价值变动损益，以及处置交易性金 融资产、衍生金融实物资产、交易性金 融负债、衍生金融负债和其他债权 投资取得的投资收益
根据税收、会计等法律、法规的 要求对当期损益进行一次性调整 对当期损益的影响
对公司根据《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》定义界定的非经常性损益项目，以及把《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。
公司属于高可靠集成电路行业，高可靠集成电路在各类装备中起基础支撑作用，是装备信息化、智能化的基石，随国家国防建设的有序推进，新增装备及装备的迭代升级将会为高可靠集成电路带来新的市场空间，特种电子行业也将进入持续增长周期。2023年为“十四五”规划中期，下游客户对需求有适当调整，公司将持续聚焦核心主业发展，以应对特种行业未来需求放量的情况。
公司专注于高可靠集成电路设计、封装、测试及销售，基本的产品包括信号链及电源管理器等系列新产品，并具备高可靠封装测试代工能力。报告期内，公司加大放大器、转换器、接口驱动、系统封装和电源管理五大类主要营业产品研发投入的同时，根据市场需求，积极布局MCU、存储器、抗辐照电路、时钟管理电路、射频微波电路等新产品的研发，新增可供货产品50余款，部分产品已形成小批量供货，产品广泛应用于海、陆、空、天、网等多个领域，可满足全温区、长寿命、耐腐蚀、抗冲击等高可靠要求。
放大器是公司的拳头产品，具有几十年的设计研发经验。报告期内，突破了基极电流消除技术、高隔离电压设计技术、可编程增益设计技术、动态校零及斩波调制技术、抗辐照设计技术等关键技术，拓展了隔离放大器、跨阻放大器、抗辐照放大器等3个新门类3款产品，迭代了零温漂精密放大器、低功耗轨至轨放大器、高压差分放大器等11款新产品，解决了系统强弱电分离，信号干扰屏蔽、增益可编程、辐照环境可靠性等需求，可以应用于医疗检测、便携测量、光学测量、激光雷达接收机、小卫星等领域。
报告期内，公司在轴角转换器的基础上进行了迭代升级，突破了霍尔传感器高灵敏度电流检测技术、高性能模数转换器误差校准算法设计技术、多电源电压域高速ESD泄放技术等核心关键技术，成功推出了5款新产品，覆盖磁编码转换器、真均方根直流转换器、信号调理转换器、视频编解码转换器、数据采集器DAS等专用转换器，解决了信号调节和传感器测量应用过程中精度偏差不足问题，可广泛应用于伺服系统、数据采集、视频显示、电力线）模拟开关
报告期内，公司突破了超低漏电补偿电路设计技术、低导通电阻平坦度设计技术、低电荷注入设计技术、高通道隔离度，解决了模拟开关信号传输精度低、信号传输损耗大、采集信号保持精度低和通道信号串扰等问题，推出了4款新产品，可广泛应用于通讯、移动电子设备等场景，可为激光脉冲系统、信号传输系统和信号采集系统提供高精度、低损耗的传输信号。
报告期内，公司突破了高压大电流、低延时、高集成度、小封装设计技术，解决了功率密度不足、传输速度慢、集成度低和封装尺寸过大等问题，推出了2款新产品，覆盖了半桥、全桥、三个半桥、低边和隔离栅极驱动器。可广泛应用于通讯、汽车、机器人、穿戴装备等场景，可为电机驱动系统和电源管理系统提供低延时、高功率密度的驱动信号。
报告期内，突破了PWM控制器大电流驱动设计及测试技术，高压工作设计技术，高频率设计技术,解决了 PWM控制器响应速度慢、外围模块体积大的问题，实现了高压工作和响应速度的提升。推出5款产品，可广泛应用于通讯等场景，为电子设备、板卡、MCU等提供稳定可靠、高效率的电源环境。
报告期内，公司丰富了电压基准源产品门类，输出电压覆盖 1.024V、1.2V、2.048V、2.5V、3V、3.3V、4.096V、5V、7.5V、10V多种电压，突破了高阶温度补偿技术、多位数字化校准等技术，解决了电压基准源温度系数差，输出精度低等问题，推出了4款产品，实现了温度系数低至1ppm/℃，初始精度低至±0.02%的国际领先水平，可广泛适用于精密数据采集系统、工业工程控制压力和温度变送器、光学控制系统、精密仪器等领域。
（1）微电源模块：公司具备从原理图设计、基板设计、封装设计等全流程设计能力，具备信号完整性、电源完整性、热可靠性分析等仿真能力。报告期内，突破了高密度封装和散热设计技术，解决了微电源模块封装尺寸小、功率密度大、大电流和良好的散热问题，推出了3款产品，可广泛应用于板级低压大电流二次电源场景，可为FPGA、SOC、ASIC等核心控制器提供可靠的电源供电。
（2）信号调理：公司具备从产品定义、指标分解、原理图设计、基板设计、封装设计等全流程设计能力，具备结构设计、封装电性能仿真、可靠性分析等仿真能力。报告期内，突破了低频滤波器带内平坦度提升技术，解决了有源滤波器带内平坦度低、带外衰减慢的难题，推出了3款产品，可广泛应用于电容式加速度传感器输出信号调理的领域。
（3）电机驱动器：公司具备从产品定义、指标分解、原理图设计、基板设计、PCB设计、封装设计等全流程设计能力，具备结构设计、封装电性能仿真、热仿真设计、可靠性分析等仿真能力。报告期内，突破了高可靠防桥臂直通设计技术，解决了高压大功率电机驱动器易直通烧坏问题，推出了1款无刷直流电机驱动器系统级产品，可广泛应用于无刷直流电机伺服控制系统领域。
公司首款基于RISC-V架构完全自主开发的32位MCU已提交流片，该产品具备集成浮点运算FPU+DSP的计算核心特点，可用于电机控制、电子系统健康检测、兼容通用 MCU等场景，该产品已经完成设计，正在流片中，预计年底可以下线．存储器
公司具备从原理图设计、芯片设计、基板设计、封装设计等全流程设计能力，具备结构设计、封装电性能仿真、可靠性分析等仿真能力。报告期内，突破了低压基准源设计技术、擦除性能保持技术以及自动块修复技术等关键核心技术，解决了存储产品面临的储容量小、擦写速度慢和可靠性的难题，推出了2款NAND闪存产品，1款eMMC产品，可广泛应用于批量数据存储的领域，为各类嵌入式系统提供可靠的存储媒介。
报告期内，公司通过与工厂进行工艺合作开发，突破了高耐压技术、全差分发射及接收机架构技术、超低附加抖动等技术，解决了隔离耐压低、抗干扰能力弱、传输频率低等问题，推出6款产品，可广泛应用伺服电机驱动、电源场景。
报告期内，突破了电调衰减器中间态驻波电路设计技术，形成“一种优化电调衰减器中间态驻波的方法及其电路”的技术成果，推出1款微波功率放大器和1款微波混频器，可广泛应用雷达、射频收发等场景。
报告期内，公司突破了超低相噪晶体振荡设计技术，解决了相噪高的问题，推出了5款时钟管理系列产品，可广泛应用于ADC、DAC、千兆以太网、XAUI光纤通道、交换机、计算机、服务器等时钟分配和电平转换。
公司建立了“产品+技术”双驱动的研发模式，研发活动分为产品开发和技术研发。产品开发以客户需求为基础，在产品研制过程中，公司对现有技术不断进行创新和完善，不断丰富公司的产品谱系，同时对封装提出更高的技术要求。技术开发是公司基于集成电路封装技术行业发展状况，通过对封装技术方向进行预判，选择具有重大应用价值的前瞻性技术进行攻关，不断提升公司的封装技术能力，满足产品研发的需求。技术开发和产品开发相互促进发展。
公司生产模式主要为自主生产，其中晶圆生产过程委外加工，其他封装测试筛选过程由公司自主完成。根据在手订单情况或者客户需求预测安排生产计划。公司生产使用设备自动化程度较高，均为国际主流设备，生产部门全流程使用MES EAP系统进行生产管理，根据当年企业经营目标要求，科学制定生产计划，精准控制进度，及时处理客户的临时订单与紧急订单。生产过程中组织收集生产产品的质量信息、成本信息、产能信息等方面进行生产大数据分析，不断总结调整，进而实现快速交付，提高合同履约率，满足客户需求。
公司均采用直接销售方式，产品直接向海、陆、空、天、网各相关单位供货，在全国七大片区设立了十五个销售网，近60人的销售团队常年驻在销售网点，对用户提供销售服务，以保障服务质量和服务效率。
报告期内，公司上半年新增 4 项核心技术，分别是基极电流消除技术、GaAs MMIC器件亚态阻抗匹配技术、高可靠防桥臂直通驱动技术、栅极大功率驱动技术。公司基于放大器、转换器、接口电路、电源管理器、系统封装集成电路、MCU、存储器、抗辐照电路、时钟管理电路、射频微波电路等产品方向开展自主研制，通过项目牵引目前共形成了18项核心技术，上述核心技术均已应用于公司主要产品。公司核心技术具体情况如下：
该技术通过电路结构创新、器件漏电补偿，对电路 进行全温度范围匹配和补偿，对负载变化引起的基 极电流变化进行弥补，解决了宽温区、宽动态负载 变化下超低失调电压的稳定性问题。
该技术通过对电路结构设计、器件结构、版图布局 进行优化，合理进行噪声分布，消除衬底噪声、耦 合噪声，实现精密运算放大器nV级噪声密度。
该技术通过设计特殊发射极结构，提高周长和面积 比，合理布局接触孔，提高电流均匀性，防止局部 热点；同时优化发射极镇流电阻，平衡大电流输出 与饱和压降，突破了上千元胞晶体管阵列均流排布 技术，实现了单片集成电路40V高压、数十安培电 流稳定输出。
该算法在数字域自动检测RDC和输入信号的角度及 位置误差，实时跟踪并调整RDC系统生成的角度和 速率，使系统快速地逼近输入角度和位置信号，从 而计算得到精准的轴角传感器的角度信号和速率信 号，使得跟踪速率达到3125rps转速时，仍能保持 ±2.5弧度分的较高转换精度，达到国内领先水 平。
该技术设计了一种双向嵌套修调算法，通过设置不 同步进等级的修调单元，识别参数误差范围，判断 起始修调层级，进行粗分精度修调，同时计算得出 正向、负向修调误差，加权平均后，实现快速高精 度数字复合修调。该技术应用于高精度大批量产品 的生产，可提高成品率，提高对工艺的适应性。
该技术发明了一种用于不同材质基底的真空合金焊 接方法，根据不同材质基底、不同芯片尺寸建立专 用工艺模型库，增强合金焊接系统（芯片、合金焊 料、管基的统一体）的热传导，提升合金焊料与管 基镀层的润湿性，使合金焊料充分润湿管基镀层， 空洞率小于5%，提升产品可靠性。
该技术开发了专用的热压夹具，采用定制劈刀、优 化键合参数相结合的方式，降低了键合过程中线径 间的影响和干涉，使得大于3mm的长跨距键合丝能 有效抵抗外界因素和材料性质产生的塑性变形，同 时实现PAD间距小于10μm的高密度键合，提升器 件的线径排列密度，实现细间距长跨距的键合批产 加工。该技术达到国内领先水平。
该技术使用高精度抛光、高真空溅射及丝网成膜等 方式，将键合界面加工成和键合丝相近的互连同质 界面，能够有效提升键合可靠性，并消除异质界面 柯肯达尔效应，实现器件长期可靠性。该技术达到 国内领先水平。
该技术通过将需要用整块大面积基板实现的复杂系 统根据功能及布线等特点划分为多个子功能模块， 每个子功能模块用一块小基板实现，在每块小基板 上预留互连位置，再将各个小基板封装在外壳或大 基板上堆叠组合并互连，最终实现整个系统的封 装，使得系统级封装能更加小型化。
该技术利用水循环代替传统风冷的方式，实现对测 试环境精确控制；针对系统封装集成电路建立可量 化的散热模型，实时采样和检测封装内部各发热点 情况，并采用自主开发的多热点K系数专用算法进
行高阶曲线拟合，得出精准温场分布情况，修正散 热模型，有效指导产品的应用，处于国内领先水 平。
该技术基于激光在线修调平台，创新地采用GBIP通 讯协议，将修调系统与测试系统进行适配性连接， 根据测试系统计算的误差，实时调整脉冲宽度，从 而控制激光修调步进，实现最高1um的激光修调精 度，优化调整关键参数，提高产品良率，达到国内 先进水平。
该技术设计的高增益环路可以将nV级微弱信号放 大，同时利用闭环控制技术使高增益环路稳定，实 现微弱信号的精确测试，可以达到1nV级的噪声灵 敏度测试，达到国内先进水平。
该技术自主开发了一种具有5000V/μs的高速脉冲 沿和扫频3GHz的专用测试电路，实现高速信号-1dB 的超低损耗传输，测试能力达到转换速率 4800V/μs，带宽3.2GHz以上，处于国内领先水 平。
该技术将冷媒降温技术应用于晶圆低温测试，使晶 圆温度可以在3分钟内从室温降到﹣55℃,有效提高 了降温速率，并在载片台上创新采用氮气循环技 术，带走低温条件下的水汽，解决低温测试凝露； 高温条件下，通过载片台精准控温技术，实现了- 55℃~125℃温度范围的晶圆测试。
该技术通过高精度基极电流采集技术，将输入对管 的基极电流采样后经过补偿电路流入输入对管基 极，实现基极电流进行补偿。通过该技术可有效降 低了运算放大器的输入偏置电流，提高运算放大器 输入阻抗。该技术已应用于精密放大器系列产品迭 代升级，适用于微弱信号采集场景。
该技术设计了一种优化电调衰减器中间态驻波的电 路，可用于微波功率放大器和微波混频器的研制， 开发的微波功率放大器频率范围覆盖5~20GHz，整 个频带内输出P1dB为19dBm；微波混频器分别覆盖 6-18GHz，中频频率覆盖DC-6GHz，变频损耗小于 8dB。
该技术通过栅极前级输入端加入高精准延时死区控 制，保证栅极输出控制后级功率管“先关断、后开 通”，栅极关断回路自适配与死区时间相对于的关 断时间，并进行关断钳位，解决关断阻抗不够小问 题，有效抑制密勒效应问题带来的ΔVGS凸起电压 防止桥臂直通，并同步采用有效的周期性限流保 护，避免电机驱动器瞬态大负载时功率管易进入密 勒平台而增大开关功耗烧坏，真正实现高可靠驱动 控制技术。采用该技术的产品，能通用适配于 100W～10kW的电机驱动控制系统。
该技术可以使栅极驱动芯片的浮动电压突破600V和 14A的大电流，具有很强的输出驱动能力。该技术 还可在芯片掉电或者低电源电压应用时形成欠压锁 存，在散热不足的情况下自动过温保护，在误触发
或短接时启动过流保护，多种保护措施齐发，有效 防止芯片误输出信号。采用该技术的产品能够实现 小于 25ns传输延时和小于4ns的波形脉宽失线A大电流范围的驱动能力。该技术成 果已应用在了公司的半桥、全桥、三个半桥、低边 和隔离栅极驱动器等产品。
方案设 计阶段 9项； 样品阶 段14 项；鉴 定试验 阶段3 项；定 型阶段 4项
拥有轨到轨输入输出 特性的高速运算放大 器设计技术，低噪声 精密运算放大器设计 技术等，突破国内 JFET 双极型运放产 品低输入偏置电流、 高摆率、高带宽设计 技术，拓展放大器产 品门类。
大范围的应用于 计算机系 统、工业控 制、医疗设 备；精密测 量设备、远 程控制等场 景。
开展旋变信号、磁编 码器等轴角转换器系 列产品技术攻关，突 破高压、高精度等关 键技术，建立多通道 旋变信号转换模型， 完善封装设计与筛选 平台，拉通前后端联 调联仿设计通道
大范围的应用于 电机系统、 舵机控制、 通信系统， 计算机系统 等场景；涉 及海、陆、 空、天、网 等多个领域 装备中。
方案设 计阶段 10项； 样品阶 段3 项；鉴 定试验 阶段5 项；定 型阶段 1项
开发多类型驱动电 路，突破低噪、宽动 态范围、超高压摆率 差分设计技术，形成 系列高速、高精度 ADC 驱动电路、隔离 型数字隔离器以及功 率驱动等。
大范围的应用于 电机系统、 舵机控制、 通信系统， 计算机系统 等场景；涉 及海、陆、 空、天、网 等多个领域 装备中。
开发精密电压基准技 术，开展超高 PSRR 电压调整器设计技术 专题研究，形成高精 度电压调整系列电 路，拓展产品门类
大范围的应用于 电机系统、 舵机控制、 通信系统， 计算机系统 等场景；涉 及海、陆、 空、天、网 等多个领域
开展高密度系统集成 技术攻关，建立高压 大电流SiP设计平 台、高密度SiP封装 设计平台，形成算法 可复用IP、形成模 块复用IP。
大范围的应用于 电机系统、 舵机控制、 通信系统， 计算机系统 等场景；涉 及海、陆、 空、天、网 等多个领域 装备中
具备DC-40GHz微波 放大器，移相器，衰 减器，开关及各种无 源芯片设计技术，设 计包含功放，低噪 放，幅相控制，开关 等功能的收发一体多 功能MMIC，进一步 提高产品集成度。扩 展公司研发品类
收发芯片及 组件在导引 头雷达、遥 感监控及电 子对抗等方 面有广泛应 用。
在通用工艺线上开发 出具有抗辐照总剂量 30/50/100krad的放 大器产品
开发具有集成浮点运 算FPU+DSP的计算核 心特点的产品，可用 于电机控制、电子系 统健康检测、兼容通 用MCU等场景
应用于电机 驱动系统、 电子系统健 康检测、兼 容所有通用 MCU产品
拥有超低噪晶体振 荡、超低附加抖动等 设计技术，具有低偏 斜、低附加抖动、高 频工作、宽电源电压 等特点，支持多种信 号格式，推出更高工 作频率、更低功耗和 适应不同情况的多通 道时钟产品
应用于 ADC、DAC、 千兆以太 网、XAUI 光纤通道、 交换机、计 算机、服务 器等应用情 景的时钟分 配和电平转 换。
研发方面：公司产业链条完整，具备电路设计、封装设计、测试验证一体化的研发平台，可根据用户需求提供芯片定制设计、封装寄生提取、多维环境仿真等全流程协同设计解决方案，减少各环节技术偏移的研制风险，推动集成电路芯片设计、封装工艺、测试验证三个专业板块的全自主纵深发展。完整的产业链条有助于更高效、灵活的定制化服务，实现研发和市场的高度融合。
晶圆方面：基于商用线的自主高可靠模型库，通过10余年来长期合作的商用工艺线流片数据积累，完善了噪声模型、ESD模型、抗辐照模型、宽温区模型等自主高可靠工艺模型，通过设计修正工艺偏差，解决了商用线工艺控制精度不足，工艺模型缺失等问题，形成了自主的特色工艺模型库，可有效减少重复研发的资源浪费，并为差异化模拟集成电路开发和高可靠器件的需求奠定了工艺基础。
封装方面：公司具备低空洞真空烧焊、高可靠异质界面同质化等封装关键技术，形成了覆盖第一代直插式封装、第二代表贴式封装和第三代阵列式封装的自动化封装能力，涵盖陶瓷、金属、塑料三大类封装形式90多种封装型号，可根据用户需求进行灵活生产。公司近两年启动建设的先进封装产业化项目，已经基本完成建设，新增工艺设备已完成调试，该项目的实施，将进一步提升公司的高可靠集成电路封装技术能力，可满足高密度FCBGA为代表的第三代先进封装技术，为公司的系统封装产品提升强有力的保障。同时，该项目的建设也进一步提升了公司高可靠集成电路封装的产能，满足了公司未来几年的供货保障。
测试方面：公司按国家军用标准建立了完善的电性能测试、机械试验、环境试验、失效分析等完整的检测试验体系，公司实验室通过了CNAS（中国合格评定国家认可委员会）和 DILAC（中国国防科技工业实验室认可委员会）认证。近年来，通过自主创新突破了超低噪声测试、高速信号测试技术、全温区晶圆测试等关键技术，实现了对微弱信号的精确测试，噪声灵敏度测试可达nV级，达到国内先进水平。为了满足未来公司发展的规划，报告期内补充了射频微波、磁编码器等高端新产品的综合测试平台，包括晶圆级、器件级以及系统级的全面完整的测试验证手段，为新产品的扩展奠定了坚实的基础。
公司依托中国振华市场平台，市场配套完整的海、陆、空、天、网服务体系，并形成以用户为中心的“市场-科技-生产-质量”大市场全面服务的文化，截止目前已经在全国设立了15个销售网点，驻地销售人员接近60人，同时补充建立了片区FAE团队，销售网点在具备实时处理订单销售之外，还获得了最快2小时内到达现场解决技术问题的响应能力，与此同时，在跟踪新产品需求方面，也起到了超前、快速、精准、范围广的效果。面对形势之变、要求之变，公司打破行业传统的“被动式”营销，打破用户固有的选型习惯，以技术问题为导向，及时对用户需求进行管理识别和分类，努力实现售前、售中、售后的全过程协同式服务。报告期内，公司提供产品及服务的用户已累计至600余家，覆盖海、陆、空、天、网等特种领域，具备完善的体系化流程和提供完整的产品解决方案，有灵活的创新机制和快速的资源整合能力为市场服务，创造行业价值。
公司作为央企控股的国有企业，始终以满足国家装备发展为已任。作为三线企业，始终以奉献国防、为国担当的使命担当，无论面对何种环境和紧迫任务，努力践行拼搏、奉献、担当、务实的企业价值观，圆满完成了多项国家重点任务。
公司一直秉承开放合作的发展理念，和所有供应商一起提升产品质量，提升技术水平，促进双方的文化融合、理念融合，打造区域化资源向一体化资源转型模式，保障供应链的长期稳定优势。针对技术先进、满足产品需求的科技成果，可快速实施成果转化决策，并提供良好的产业孵化平台，通过建立联合实验室、产业联盟、战略伙伴等方式抓住国产化机遇，共同助力行业的成长。
四、 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用
报告期内，国内高可靠集成电路市场略有波动，但公司全体员工齐心协力、勇创善为，推动公司经营情况持续向好，公司实现营业收入64,740.74万元，同比增长61.61%；实现归属于上市公司股东的净利润为25,655.35万元，同比增长54.33%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润25,235.99万元，同比增长52.49%。
公司持续加大西安和南京研发中心队伍建设，明确“贵阳+成都+西安+南京”四位一体的研发战略定位，以市场需求和技术发展为牵引，积极推进技术创新和新产品布局，上半年持续保持较高的科研投入，累积投入7,410万元，加快产品的迭代升级，在巩固现有市场的同时，上半年新推产品50余款，将成为未来新的增长点。
公司凭借国产化产品的布局优势，持续推进核心产品的市场拓展，在原有的器件级销售模式上新增系统级营销，研发工程师与技术支持工程师直接面对市场，建立FAE团队，将市场前移至用户设计，为用户提供整体解决方案，获取器件级选型主导权；上半年新用户开发29家、百万级用户新增6家，客户应用领域进一步拓宽，多领域国产化订单超出预期，呈现良好增长态势；公司紧跟装备发展、积极开展市场需求调研，为新品研发立项提供几十项需求支撑，不断抢占增量业务市场先机。
公司不断推进沙文产业园区封测一期和产业化项目建设，推动产线自动化升级，完成生产信息化管理系统的验收及应用，实现“设计-封装-测试”的垂直整合，通过高质量的交付满足了客户需求；公司持续加大混合电路和塑封线的技改投入，使公司产能得到均衡发展，满足了封测代工品种的产能需求，初步实现了封测代工的批量供货，业务范围得到有效拓展。
报告期内，公司为持续健康发展，开展了系列专项基础管理能力提升工作。一是持续推进“五位一体”风控体系建设和风险集约化管理，通过投资后评估专项检查、内控制度有效性评价、合规审查等形式，诊断风险点，进而针对性的优化流程和制度，有效防范“灰犀牛”和“黑天鹅”事件，实现业务风险可控；二是借助入选国务院国企改革“科改企业”的契机，围绕完善公司治理机制、市场化选人用人、市场化激励约束机制、科技创新以及加强党的领导建设五个方面深化改革；三是推进新时代质量管理体系（NQMS）建设，更好地适应新一轮行业的变革发展与质量管理要求，促进公司自主创新能力和管理水平的持续提升。
公司高度重视人才布局，上半年成功引进 2位博士、6位集成电路高端人才、其他研发人员引进 20人，公司研发人员数量占公司人员总数的 27%。“贵阳+成都+西安+南京”四位一体的芯片创新研发集群优势逐渐形成，逐渐掌握选型主导权，不断提升公司产品竞争力。
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
公司围绕市场需求，开展核心研发技术、新产品拓展、技术升级改造等工作，投入了大量的资金和人力，公司对技术成果的产业化和市场化进程具有一定不确定性，如果在研发过程中关键技术未能突破、性能指标未达预期，或者研发出的产品未能得到市场认可，公司将面临前期的研发投入无法收回且难以实现预计效益的风险，并将对公司业绩产生不利影响。
集成电路行业是技术密集型行业，关键技术和人才是公司保持持续竞争优势的基础，随着技术研发的深入，技术创新在深度和广度上都将会更加困难。这就需要公司在技术研发方面不断加大投入，同时加大对高端、综合型技术人才的引进。如果公司现有的盈利不能保证公司未来在技术研发方面的持续投入，不能吸引和培养更加优秀的技术人才，或者出现研发人员流失的情况，都将会导致公司的竞争力下降。
报告期内，由于公司下游客户主要以国有集团的下属单位为主，使得公司以同一集团合并口径的客户集中度相对较高。虽然公司与主要客户形成了密切配合的合作关系，按照特种元器件供应的体系，通常定型产品的供应商不会轻易更换，且公司积极研发满足现有客户的真实需求的新产品、积极拓展新客户、开拓新市场，减少客户集中度高的潜在不利影响。但若公司在新业务领域开拓、新产品研制等方面进展不利，或现有客户需求大幅下降，则较高的客户集中度将对公司的经营产生影响。
国家一直以来重视集成电路企业的政策支持，公司作为高新技术企业，享受着国家税收政策优惠，但是未来若国家相关税收优惠政策发生变化，将会对本公司经营业绩带来不利影响。
报告期公司业务规模不断扩大，应收账款及应收票据的余额相应增长。公司主要产品应用于海、陆、空、天、网等核心领域，由于集成电路处于高可靠领域产业链配套末端，配套产品验收程序严格和复杂，结算周期较长，同时受客户主要集中在年末付款且以商业承兑票据结算为主的影响，导致公司销售回款速度慢，应收账款、应收票据规模较大。公司的下游客户主要为央企及其子公司，整体信誉较好，支付能力较强。但若公司不能有效提高应收票据及应收账款管理水平及保证回款进度，将有可能出现应收票据及应收账款持续增加、回款不及时甚至坏账的情形，从而对公司经营成果造成不利影响。
风险管理措施：针对公司业务的特点，公司在签订销售合同时将持续加强对合同签订方经营状况及信用调查，合理制定客户的信用额度；进一步优化应收账款回款激励机制，加大应收账款的催收力度，并严格按照坏账计提政策计提坏账准备，全力降低应收账款不能回收的风险。
报告期随着公司业务规模的不断扩大，为满足生产经营需要，公司存货相应增加。受产品种类型号多、验收程序繁琐等因素的影响，公司储备的原材料较大，客户尚未验收的发出商品余额较大，导致存货余额较高。同时，公司积极应对客户的需求，提升生产灵活性，结合市场供需情况及预期客户的需求，对部分产品提前备货。若公司无法准确预测客户的真实需求并管控好存货规模，将增加因存货周转率下降导致计提存货跌价准备的风险。
风险管理措施：一方面公司将坚持采用“以销定产、以产定购”的计划型采购模式，对存货规模进行严格控制，同时加强销售队伍建设，不断完善客户需求分析管理体系，合理备货；另一方面严格按照政策定期计提存货跌价准备，以减少存货跌价风险。
面对西方国家对我国经济发展的限制，很大程度阻碍了我国信息化、数字化水平的提升和发展，尤其是集成电路的应用范围极广，涉及到电力电网、汽车电子、以及高可靠、高精尖领域，近年来也不断受到针对我国集成电路产业颁布的一系列禁限措施影响，使得我国集成电路核心水平发展缓慢，芯片制造环节也长期处于“卡脖子”状态。公司作为高新集成电路企业，难免会受到行业波动的影响，若未来国外对我国集成电路行业继续实施限制和封锁，将有可能影响到公司的经营业绩。
请参见“第三节 管理层讨论与分析”之“一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明”和“五、经营情况的讨论与分析”。
（1）营业收入变动原因说明:公司积极发挥核心产品竞争优势，大力推进技术创新和新产品布局，实现产品销量增长。
（2）营业成本变动原因说明:报告期基本的产品销量同比增长 60%，同时销售的新产品占比同比上升，新产品的验证试验成本较高，结转成本增加。
（3）销售费用变动原因说明:公司取得的销售订单、新产品推广成效、销售收入等同比增加，考核发放的销售人员绩效等同比增加
（4）管理费用变动原因说明:报告期公司生产经营规模扩大，办公场所租赁面积增加，租赁费增加；同时在岗职工人数同比增加，人工成本增加。
（5）财务费用变动原因说明:公司利用闲置募集资金进行现金管理业务，取得的利息收入大幅增加。
（6）研发费用变动原因说明:公司持续加大研发投入，加强项目管理，加大研发人才引进力度，增设西安研发中心、南京研发中心，优化研发管理和薪酬激励，支付的人工成本同比增加，同时项目研制进度加快，投入的验证材料、流片费、试验验证费等同比增加。
（7）经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:年初结转的应收票据在本期已承兑，销售商品和提供劳务取得的现金同比增加所致。
（8）投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:根据募投项目建设进度节点，支付的现金同比增加；利用闲置募集资金进行现金管理，部分投资报告期末尚未到期。
（9）筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:报告期筹资收到的现金同比减少3.11亿元。
2 本期公司业务类型、利润构成或利润来源出现重大变动的详细说明 □适用 √不适用
